光刻机关键技术突破，哈工大公布新成果

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半导体领域作为我国科技发展的短板，在这个领域一直受限于人，但中企们也没有选择坐以待毙，大力推动自研芯片和自研半导体设备的发展，进一步实现自主可控。

如今哈工大公布新成果，光刻机关键技术突破，很可能国产7nm手机芯片要来了！那么究竟发生了什么？

众所周知，我国由于半导体领域发展比较晚，所以针对于芯片方面并没有优势，反观老美基于20世纪“科学无国界”的口号，招募到的人才替其建立了美国在半导体领域的地位。

而由于在70年内发展迅速，不仅成为了世界第二经济体，还在军事实力、尖端科技和综合国力均排行第二，仅次于美国，成绩辉煌闪耀。

这令老美不得不感到忌惮，因此其为了巩固自己国际主导地位的身份，防止被我国在科技领域超越，对大陆进行了多次且多方面限制。

比如说华为、中芯国际、长江存储和中兴通讯等中企均受到过限制，不过最重要的还是半导体领域的断供限制。

早在2018年，ASML的13．5nm波长EUV光刻机在市面上首次出现，中芯国际也是直接选择了订购一台。

但很可惜，基于老美在EUV光刻机研发团队“EUV LCC联盟”的主导地位，加上美零件与核心技术在EUV光刻机产品中占比超过30％，所以最终老美并不同意将EUV光刻机向中国市场供应。

以至于如今国内代工厂商没有任何一款7nm以下制程的电子硅基芯片进行量产，整体量产能力也并没有突破至先进工艺制程。

可令人愤然的是老美再次盯上了大陆市场的DUV光刻机供应渠道，联合日本与荷兰组成“美日荷联盟”，通过世界名列前茅的ASML、东京电子、尼康对中国市场进行断供。

在确定协议之后，ASML率先宣布协议达成，并将会在一段时间后落地实施，所以呼吁中企们加速购入DUV光刻机，由此可见ASML对限制出货的态度。

不过即便ASML没有被限制，可以一直实现供应，那终究不是自主可控的，存在着“卡脖子”的风险，所以自主研发才是“正道”。

那么好消息来了，如今哈尔滨工业大学公布新突破，那就是“高速超精密激光干涉仪”，这项技术能够解决DUV光刻机的关键问题，属于是整体的核心部分。由此可见，“高速超精密激光干涉仪”确实是不小的突破，带来了我国半导体制造设备自研的一大推进。

这项技术还得到了全世界认可，荣获世界光子大会“金隧奖”的金奖，并且还排行在金奖第一的位置，从这一点上就可以看出该技术的重要性了。

知情郎认为按照目前国产光刻机部件的生产，针对于DUV光刻机的研发推进相信已经不远了，或许我国半导体领域也将很快踏入先进制程芯片领域。

值得一提的是其实也可以通过别的方式实现7nm制程芯片的量产，此前台积电曾通过DUV光刻机进行“多重曝光”工序进行实现7nm工艺芯片制造。

基于国内近几年的“多重曝光”技术已经颇为完善，目前正准备使用在14nm制程DUV光刻机上，将波长进行压缩，实现对7nm制程芯片的制造甚至量产。

加上中芯国际具备7nm制程量产技术，配合哈工大的半导体领域技术支持，相信年内可能将会迎来国产7nm手机Soc芯片。

虽说目前针对于手机Soc芯片这方面，7nm制程并不算是高水平，较比台积电和三星也有一定程度的差距，但是踏入7nm制程先进工艺无疑是中企在半导体领域的一种里程碑式的进步。

当然，目前电子硅基芯片这条赛道已经快要达到尽头，根据摩尔定律显示，此类芯片的物理极限是1nm制程。

这意味着如今台积电的3nm工艺之后，预计只有2nm和1nm，并且代工价格将进一步提升，面对走进“死胡同”的赛道，跟上其工艺发展无疑只是时间问题。

反观全新的光子芯片、量子芯片、量子计算机等方面均已经有着小规模突破，甚至部分领域已经有着领先水平。

总体来说，中企们在双工件台，物镜、光源，掩膜板、光刻胶等半导体核心系统和材料等方面的突破，证明了我们在芯片制造自主研发的道路上越走越远、越来越自信，在国内企业团结合作，分工明确的环境下，在国家的大力扶持之下，国产芯片的未来是可期的。

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