报道称,李在镕于 6 月 14 日(当地时间)在荷兰 ASML 总部会见了 ASML 首席执行官 Peter Wennink 和首席技术官 Martin van den Brink,并就引进今年生产的 EUV 光刻设备和计划于明年推出的高数值孔径(High-NA)EUV 光刻设备达成了协议。
High-NA EUV 是下一代光刻设备,与现有的 EUV 光刻设备相比,可以雕刻出更精细的电路,其被认为是一个改变游戏规则的设备,将决定 3 纳米以下代工市场技术竞赛的赢家。
IT之家了解到,High-NA EUV 光刻设备的单价估计为 5000 亿韩元(约 25.85 亿元人民币),是现有 EUV 光刻设备的两倍。
今年早些时候,英特尔宣布已签署合同购买 5 台这种设备,用于在 2025 年生产 1.8 纳米芯片。台积电也在 6 月 16 日的美国硅谷技术研讨会上表示,它将在 2024 年在全球首次将 High-NA EUV 光刻设备引入其工艺。
在这场对下一代 EUV 光刻设备的争夺中,三星电子也寻求获得最新的 EUV 设备。李在镕的欧洲商务之旅主要是为了确保获得下一代 High-NA EUV 光刻设备,以及目前正在生产的最新一代设备。ASML 今年只能生产 50 台 EUV 设备,交货期为一年到一年零六个月。该公司有限的生产能力和较长的交货期,助长了对 High-NA EUV 光刻设备的预购竞争。
三星电子将 High-NA EUV 光刻设备实际应用于其半导体工艺的具体时间还没有确定。但考虑到交付周期,预计三星电子将在 2024 年开始实际使用 High-NA EUV 光刻设备。
一些行业观察人士呼吁韩国政府对半导体设施的投资给予更多支持。据报道,三星电子已经获得了今年计划生产的 55 台 EUV 光刻设备中的 18 台。这意味着,该公司仅在 EUV 光刻设备上的投资就将超过 4 万亿韩元(约 206.8 亿元人民币)。
“如果三星采购 10 台 High-NA EUV 光刻设备,将花费公司超过 5 万亿韩元(约 258.5 亿元人民币),”一位业内人士说,“有必要扩大政府支持,以增强韩国的国家工业竞争力”。

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