英特尔实验室宣布集成光子学研究进展

英特尔实验室宣布其集成光子学研究取得重大进展。最新的研究展示了多波长集成光学器件的行业领先进展，包括演示了完全集成在硅晶圆上的八波长分布式反馈（DFB）激光阵列，并提供＋／－ 0．25dB的出色输出功率均匀性和超过行业规格的±6．5％的波长间距均匀性。

英特尔实验室高级首席工程师Haisheng Rong表示：“这项新研究表明，有可能在均匀和密集间隔的波长下实现匹配良好的输出功率。最重要的是，这可以通过使用英特尔晶圆厂中现有的制造和工艺控制来完成，从而确保下一代共封装光学器件和大规模光计算互连的批量生产的清晰路径。”

它意味着什么？

这一进展将使生产的光源具有未来大批量应用所需的性能，如用于包括人工智能（AI）和机器学习（ML）在内的新兴网络密集型工作负载的共封装光学和光学计算互连。该激光器阵列建立在英特尔的300毫米硅光子学制造工艺上，为大批量制造和广泛部署铺平了道路。

Gartner预测，到2025年，硅光子学将被用于所有高带宽数据中心通信渠道的20％以上，而2020年这一比例还不到5％，总的可用市场将达到26亿美元。对低功耗、高带宽和更快的数据传输的需求不断增长，推动了对硅光子学的需求，以支持数据中心的应用和其他方面。