芯片之争：ASML断供DUV光刻机背后的秘密

　　广大网友们愤怒了，骂美国骂日本骂荷兰，还有一部分人认为没啥，我们很快能自己研发出来。可静下来冷静思考一下，几十年的技术积累不是一朝一夕的，我们要给我们的科研人员足够的时间和耐心，不吹捧不盲目自大，相信有朝一日我们终能突破技术限制，造出我们自己的国产光刻机。

　　那人们不禁好奇了，为什么作为一家荷兰的跨国企业为啥最终会向美国“屈服”呢？这不得不说光刻机背后的秘密了，因为核心技术依旧掌握在美国手中，他有一百种办法对付阿斯麦。

　　当前主流光刻机分为深紫外光源(DUV)、极紫外光源（EUV）,一台EUV光刻机净重可达180吨，内部零件高达10万件之多，但主要核心部件分为两个部分：对准系统和紫外光源。这核心的核心就掌握在美国佬手里，这是基础技术的比拼，EUV相比DUV，就是把193nm的短波紫外线替换成了13.5nm的极紫外线，而该光源正是来自于美国的Cymer，13.5nm的极紫外线其实是从193nm的短波紫外线多次反射之后得到的，需要用功率为250的二氧化碳激光去不断轰击滴落下来的金属锡滴液，才能激发出EUV等离子体，获得波长更短的光。

　　而EUV的光学元件来自于德国蔡司公司，其中的EUV多层膜反射镜作为光学系统的重要元件，成为了EUV光源之后又一项关键技术，它必须实现EUV波段的高反射率才可以。

　　ASML的EUV光刻机工作台采用的是一种高精度的激光干涉仪，以此进行微动台的位移测量，构建出一个闭环的控制系统，进而实现纳米级的超精密同步运动。首先必须保证光刻机的工作精度，芯片制造过程中需要经历多次曝光，这也就意味着必须要进行多次对准操作。

　　一次对准可能比较容易，但芯片的制造需要多次曝光多次对准，在曝光完一个区域之后，放置硅晶圆的曝光台就必须快速进行移动，接着曝光下一个需要曝光的区域，想要在多次快速移动中实现纳米级别的对准，难度就相当大了。

　　总之，光刻机的整个生产制造过程，包涵了数学、电子光学、流体动力学、高分子物理化学、表层物理学与有机化学、仪器仪表、机械设备、自动化、图像识别等多项行业顶尖技术，有人说甚至比造原子弹还要难。前路漫漫，期待科研部门尽快攻克一个又一个难关，同时也希望国家能重视基础技术这块，培养更多的技术人才，虽然成果慢甚至可能失败，但却是任何技术的基石，由衷地希望中国未来能领跑全球科技！